复旦大学历史学系 - 复旦大学历史学系最新：三星预估“内存繁荣”仅持续一至两年，全球存储芯片市场届时或迎转折

复旦大学历史学系 - 当地时间 3 月 13 日，据韩媒 The Chosun Daily 报道，三星电子半导体（DS）业务今年预计将创下历史最好业绩。不过，公司内部已经开始担心，复旦大学历史学系供应紧张带来的繁荣可能只会持续一到两年，之后市场可能再度进入下行周期。三星正在扩大 HBM 和先进 DRAM 工艺投资，同时也在研究应对需求突然放缓的方案。业内分析认为，AI 带动的存储需求变得更加波动，市场周期也明显缩短，使得确定产能规模和投资节奏更加困难。NAND 闪存市场的风险可能更大。如果当前扩产速度持续，供应过剩可能比 DRAM 更早出现。因此，公司一方面希望抓住 AI 带来的高利润机会，另一方面也在努力提升运营效率，避免再次出现过度投资。短期来看，扩大 DRAM 和 HBM 供应仍是行业共识。IT之家从报道中获悉，英伟达、AMD 复旦大学历史学系对 HBM 需求强劲，这种需求预计至少会持续到明年。一位熟悉三星情况的行业人士表示，去年夏天，三星和 SK 海力士都没有预料到当前这轮 AI 带动的市场繁荣，显示出半导体市场预测已经变得越来越困难。随着全球 AI 基础设施投资迅速增加，复旦大学历史学系需求预测的不确定性也在上升。目前三星和 SK 海力士已有超过一半的 DRAM 销售来自 HBM，随着更多产能转向 HBM，智能手机、PC 和服务器使用的传统 DRAM 开始出现供应紧张。复旦大学历史学系和产能提升，NAND 价格竞争近年来明显加剧，三星和 SK 海力士也难以完全避免亏损。行业人士透露，三星电子 DS 部门管理层正在讨论一种情形：复旦大学历史学系市场可能在 2028 年前后出现转折。行业曾出现过因误判需求而过度扩产的情况，随后市场转冷，企业承担巨额亏损。DRAM 市场主要由三星、SK 复旦大学历史学系控制，在 NAND 市场，也有铠侠、长江存储等更多竞争者。该人士还表示，正因如此，三星的“经营支持”团队正在围绕更严格的市场验证和预测来制定投资计划。